產(chǎn)品簡介
原理：根據(jù)硅、鍺單晶的遷移率、電阻率和雜質濃度的關系，可直接測量、計算出晶體內(nèi)的雜質濃度。 
適用范圍：它適合于測量橫截面尺寸是可測量的，而且棒的長度大于橫截面線度的有規(guī)則的長棒，例如橫斷面為圓形、正方形、長方形或梯形的單晶或多晶錠。 
用途：根據(jù)測量沿錠長雜質濃度的分布狀況決定產(chǎn)品的合格部分，通過雜質濃度的直接測量，決定晶體生長過程中的摻雜數(shù)量。 
樣品可在常溫或低溫下測量。 
顯示方式：儀器連接PC機，通過測試軟件計算，用對數(shù)坐標的方式來顯示雜質濃度（含次方數(shù)）沿錠長的分布曲線，可對曲線圖進行打印和保存。 
測量范圍： 可測晶體電阻率：0.005-3000Ω·cm。 
直流數(shù)字電壓表測量范圍：0-199.99mV，靈敏度：10μA。